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日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命

日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命

產(chǎn)品型號(hào): HF-300

所屬分類:

產(chǎn)品時(shí)間:2024-09-07

簡(jiǎn)要描述:日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命
非接觸/無(wú)損壽命測(cè)量
與單晶和多晶硅樣品兼容
支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
包含激情膠囊(用于威化餅)

詳細(xì)說明:

日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 非接觸/無(wú)損壽命測(cè)量
  • 與單晶和多晶硅樣品兼容
  • 支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
  • 包含激情膠囊(用于威化餅)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

單晶/多晶硅晶片,磚(散裝)

測(cè)量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210(寬)x 210(高)x 500(深)mm

測(cè)量范圍

0.1μS至1,000μS
(要測(cè)量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm)

<測(cè)量激光單元>類型:半導(dǎo)體激光二極管,
波長(zhǎng):905 nm(對(duì)于晶片)/ 1,000 nm(對(duì)于磚),峰值功率:60 W,脈沖寬度:80 nS

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 非接觸/無(wú)損壽命測(cè)量
  • 與單晶和多晶硅樣品兼容
  • 支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
  • 包含激情膠囊(用于威化餅)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

單晶/多晶硅晶片,磚(散裝)

測(cè)量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210(寬)x 210(高)x 500(深)mm

測(cè)量范圍

0.1μS至1,000μS
(要測(cè)量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm)

<測(cè)量激光單元>類型:半導(dǎo)體激光二極管,
波長(zhǎng):905 nm(對(duì)于晶片)/ 1,000 nm(對(duì)于磚),峰值功率:60 W,脈沖寬度:80 nS

 



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